电子发烧友网综合报道 最近，厂盯成英特尔EMIB封装火了，上英在苹果、厂盯成高通、上英博通的厂盯成招聘信息中，都指出正在招募熟悉EMIB封装的上英工程师。近期还有消息称，厂盯成由于台积电CoWoS 先进封装产能持续紧张，上英Marvell和联发科也正在考虑将英特尔EMIB封装应用到ASIC芯片中。厂盯成

EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，上英嵌入式多芯片互连桥）是厂盯成英特尔主导推广的一种2.5D 先进封装技术，通过在有机封装基板中嵌入小型硅桥实现多个芯片 (芯粒) 之间的上英高速互连，是厂盯成业界首个采用嵌入式桥接的 2.5D 解决方案。2017年英特尔首次在Kaby Lake-G处理器中引入EMIB技术，上英实现CPU与AMDGPU之间的厂盯成高速互连。

EMIB 的核心在于局部化高密度互连设计，与台积电 CoWoS 把整个封装区域铺在一张大尺寸硅中介层上不同，EMIB不使用覆盖整个封装的大型硅中介层，而是采用尺寸很小的硅桥嵌入基板；硅桥上构建高密度再布线层(RDL)，可提供 800-1000 I/O/mm² 的布线密度，实现芯片间的高速数据传输；芯片通过双凸点间距设计与硅桥连接：C4 凸点 (大间距，约 100μm) 用于基板连接，C2 凸点 (小间距，45-55μm) 用于硅桥高速互连，在保障 TB 级带宽的同时，将封装成本降低 30-40%。。

这种设计带来三大核心优势。硅材料利用率达 90%（远超传统中介层的 60%）、热膨胀系数不匹配问题缓解（硅占比低）、支持多芯片灵活组合。其制造流程简化为硅桥制备、基板开槽嵌入、芯片键合三步，避免了复杂 TSV（硅通孔）工艺，良率与标准 FCBGA 封装相当。

目前，EMIB 系列技术的迭代遵循基础互连→性能增强→功能扩展→维度升级的路径：
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EMIB 标准版：2.5D 封装的基础形态，以低成本局部互连为核心定位​
EMIB-M：在标准版基础上强化电源完整性，在硅桥中集成MIM (金属 - 绝缘体 - 金属)电容，增强电源完整性，适合高功率 AI应用
EMIB-T：引入 TSV 通孔技术，进一步提升互连密度，突破内存集成与功率传输瓶颈​
EMIB 3.5D：融合 3D 堆叠技术，实现垂直堆叠和水平桥接的混合集成架构，总互连带宽较 EMIB-T提升200%。

从成本来看，CoWoS以全覆盖硅中介层为核心，通过大面积硅基材料实现极致互连密度，但硅中介层占 BOM 成本 50-70%。CoWoS-L虽采用混合中介设计，成本仍比 EMIB-T 高 60% 以上。​

而EMIB以局部硅桥为核心，硅材料用量仅为CoWoS 的 1/3-1/5，封装成本整体低35-50%。EMIB-T引入 TSV 后，在性能逼近 CoWoS-L 的同时，成本仍保持 30% 以上优势。

EMIB 是英特尔创新的2.5D 封装技术，通过新的封装思路，在成本、性能和灵活性间取得平衡。尤其在 AI 芯片需求爆发、台积电 CoWoS 产能紧张的背景下，EMIB 正成为芯片设计公司的重要选择，推动先进封装市场从一家独大向多元竞争格局转变。随着 AI 芯片面积增大、HBM 颗数增多、先进封装产能紧缺，EMIB 正被越来越多云厂商和芯片公司视为高性价比替代路线，并将在 2026–2028 年迎来更大规模的上量。